ألقى أ.م.د عدي محسن نايف  سمنار بعنوان (دراسة خصائص السليكون نانوي التركيب المحضر بطريقة التشظية بالليزر)  

ضمن الموسم العلمي الثقافي لقسم العلوم التطبيقية ألقى أ.م.د عدي محسن نايف  سمنار بعنوان (دراسة خصائص السليكون نانوي التركيب المحضر بطريقة التشظية بالليزر) في القاعة الذكية في القسم يوم الثلاثاء المصادف 20/3/2012  وقد حضر السمنار بعض اساتذة ومنتسبي القسم

ملخص البحث

تقنية التشظية بالليزر هو اسلوب بسيط للغاية، وربما تكون من بين أبسط كل التقنيات لنمو أغشية قيقة. وهي تتألف من حامل الهدف وحامل قاعدة الاساس داخل حيز من الفراغ. ويستخدم ليزر عالي القدرة كمصدر خارجي للطاقة لتبخير المواد وترسيب الأغشية الرقيقة. وتستخدم مجموعة من المكونات البصرية لتركيز شعاع الليزر على سطح الهدف. سطح السليكون (الهدف) سوف يسخن بشكل سريع بحيث يصل الى درجة حرارة التبخر، ويتضمن تكون بلازما التي بدورها تعمل على نقل دقائق السليكون النانوية الى سطح قاعدة الاساس واخيرا عملية نمو الغشاء. الهدف الرئيسي من هذه السمنار هو تقديم المعلومات المرتبطة بالخصائص البصرية والتركيبية والمورفولوجية لدقائق السليكون النانوية التي تنتجها التشظية بالليزر اللازمة لإنجاز تطبيقات فريدة.